词条 双极性晶体管

双极性晶体管

双极性晶体管英语:bipolar transistor),全称双极性结型晶体管bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管,是一种具有三个终端的电子器件。双极性晶体管是电子学历史上具有革命意义的一项发明,其发明者威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布喇顿被授予了1956年的诺贝尔物理学奖。

这种晶体管的工作,同时涉及电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性的,所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如场效应管的单极性晶体管不同,后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由PN结形成。

双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基极。在基极区域,空穴为多数载流子,而电子少数载流子。由于基极区域很薄,这些电子又通过漂移运...

双极性晶体管简介资料
1947年12 月
约翰·巴丁、沃尔特·豪泽·布喇顿
双极性晶体管由三部分掺杂程度不同的半导体制成,晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动。以NPN晶体管为例,按照设计,高掺杂的发射极区域的电子,通过扩散作用运动到基极。在基极区域,空穴为多数载流子,而电子少数载流子。由于基极区域很薄,这些电子又通过漂移运动到达集电极,从而形成集电极电流,因此双极性晶体管被归到少数载流子设备
一种具有三个终端的电子器件
双极性晶体管能够放大信号,并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐久能力,,所以它常被用来构成放大器电路,或驱动扬声器、电动机等设备,并被广泛地应用于航空航天工程、医疗器械和机器人等应用产品中
双极性晶体管相关文献
晶体管
历史第一个晶体管的复制品.1925年,加拿大物理学家尤利乌斯·爱德利林费尔德(英语:JuliusEdgarLilienfeld)申请场效应晶体管(FET)的专利1926年,尤利乌斯·爱德利林费尔德(英语:JuliusEdgarLilienfeld)也在美国申请专利,但是他没有发布过相关的文章,而且当时还没有制作高品质半导体的相关技术。1934年,德国发明家奥斯卡海尔(英语:OskarHeil)申请类似装置的专利。1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。运用及分类NPN型晶体管示意图晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)晶体管一般都有三个极,其中一极兼任输入及输出端子,(B)基极不能做输出,(C)集电极不能做输入之外,其余两个极组成输入及输出对。晶体管之所以如此多用途在于其信号放大能力,当微细信号加于其
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极性
共价键的极性水是极性化合物。由于氧原子强烈的电负性,电子对明显偏向氧一侧,因此氧周围聚集负电荷(红色部分),氢原子周围聚集正电荷(蓝色部分)。三角形的三氟化硼分子。尽管3根键都是极性键,但分子是非极性分子。因为分子对称,正负电荷中心重合了。共价键的极性是因为成键的两个原子电负性不相同而产生的。电负性高的原子,如氟、氧及氮,比电负性低的原子更能吸引电子,即把电子“拉”向它那一方,而电子接近电负性高的原子的时间也较多,使得电荷不均匀分布。这样形成了一组偶极,这样的键就是极性键。电负性高的原子是负偶极,记作δ-;电负性低的原子是正偶极,记作δ+。键可以堕入两个极端——极性和非极性。当构成共价键的不同离子的电负性完全相同,便会产生完全非极性的键。相反,当两者的电负性相差值大得足以令其中一种离子完全取走了另一方的一粒电子,就会产生极性键——或更贴切而言,是离子键。“极性”和“非极性”二词多用于形容共...
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绝缘栅双极晶体管
构造这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力,在单一的IGBT器件里,会透过把一个隔离的场效应晶体管(FET)结合,作为其控制输入,并以双极性晶体管作开关。用途和特征绝缘栅双极晶体管其基本包装为三个端点的功率级半导体元件,其特点为高效率及切换速度快,为改善功率级BJT运作的工作状况而诞生。IGBT结合了场效晶体管栅极易驱动的特性与双极性晶体管耐高电流与低导通电压压降特性,IGBT通常用于中高容量功率场合,如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。大型的IGBT模组应用于数百安培与六千伏特的电力系统领域,其模组内部包含数个单一IGBT元件与保护电路。IGBT为近数十年发明产物,第一代IGBT产品于1980年代与1990年初期,但其切换速度不快且开关截止时易产生拴锁现象与二次崩溃现象,第二代IGBT产品便有很大的进展,第三代I...
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双极性晶体管
发展及应用1947年12月,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。1948年,肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。在其后的大约三十年时间内这种器件是制造分立元件电路和集成电路的不二选择。早期的晶体管是由锗制造的。在1950年代和1960年代,锗晶体管的使用多于硅晶体管。硅晶体管截止电压通常为0.5至1V,锗晶体管的截止电压更小,通常约0.2V,这使得锗晶体管适用于某些应用场合例如高灵敏度的设备。在晶体管的早期历史中,曾有多种双极性晶体管的制造方法被开发出来。锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生热失控。由于锗的禁带宽度较窄,如果要稳定工作,则对其工作温度的要求相对硅半导体更严,因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。采用硅的另外一个原因是容易形成稳定的二氧化硅,二氧化硅与其他金属之间的粘性也大,容易制作电子器件。后来,人们也开始使...
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生命晶体管
从细菌到人类的细胞当中,都包含了某些蛋白质,从事类似于晶体管(Transistor)的工作。在一般晶体管中,电子在半导体当中的流动是受到电位差所控制;而在细胞当中,某些跨越细胞膜表面的蛋白质也是以电位差控制钠、钾、钙等离子进出细胞。这些由蛋白质所构成的离子信道,其功能单位一般由四个蛋白质次单元所组成,每一个蛋白质次单元又由六次往复缠绕的多月生月太(Polypeptide)所构成。这种六次往复缠绕的穿越细胞膜结构常见于钠、钾、钙等离子通道,其中尚包括螺旋状(α-helix)的结构,它们对于不同电荷离子的灵敏度相当高。关于离子信道结构的研究已有多年,由于离子通道不容易形成结晶,所以其结构的决定也就益发困难。有研究者尝试利用抗体为骨架去帮助蛋白质结晶,其所选用的蛋白质分离自一种古细菌Aeropyrumpernix,蛋白质名为KvAP,其作用是管控钾离子进出细胞。KvAP有类似于船桨(Paddle...
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半导体元件
家族谱大览
张氏家谱
原书: [出版地不详] : 张氏族谱编纂委员会, 2012年. 1册(约65页) : 插图, 世系表. 注 : 此谱第13-25世资料全缺. 谱内字派众多繁复,详请查阅谱第4-7页. 始迁祖(一世) : (明) 张宜,字仰尼. 由山西洪洞迁至河南西华. 下有一子 : 张震. 房祖(3世) : 张学,字聚之 ; 张杰. 震公之子. 东斧柯村祖(26世) : 张尚林 ; 张尚双 ; 张尚集...[等]. 西斧柯村祖(28世) : 张大运 ; 张二运 ; 张显平...[等]. 王口村祖(26世) : 张尚德. 红花田楼村祖(28世) : 张显长 ; 张显位 ; 张显领...[等]. 后喜岗祖(28世) : 张显成 ; 张显泰 ; 张显玉...[等]. 西门南门祖(26世) : 张尚敏 ; 张尚觉. 叶埠口流渠村祖(27世) : 张亮彩. 商水沈庙祖(28世) : 张显凤. 迟营黄庄祖 : 张牛 ; 张显林 ; 张显海. 大王庄刘子河祖(28世) : 张显明. 陈庄祖(28世) : 张显生. 散居地 : 河南省西华县等地. 书名据书衣题编目.
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巫氏房谱 七卷首一卷末一卷
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 清光绪20[1894]七修. 9册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 太原市寻源姓氏文化研究中心. 远祖 : 巫暹. 由山西平阳夏县徙闽. 始祖 : (唐) 巫罗俊,字定生,号青州. 宗祖(3世) : (唐) 巫万宗,字真祥,改字符本. 明甫公之子. 万宗公下有仁, 义, 礼, 智, 信五子. 此谱为信公第五子,吉公,之后世系资料. 派祖(14世) : 巫清周,字绍夷. 源公长子. 房祖(32世) : 巫双郎 ; 巫全郎. 皆为钦相公之子. 双郎房下支祖(35世) : 巫盛仁 ; 巫盛益. 全郎房下支祖(34世) : 巫子监,字固卿 ; 巫子彦,字俊臣. 字派(42世起) : 可成邦家英瑞 国朝立锡升扬 常继先人后泽 世祚永传益昌. 散居地 : 福建省宁化县, 清流县等地. 书名据版心题编目. 书名页题 : 平阳巫氏房谱.
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巫氏房谱 七卷首一卷末一卷
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 清光绪20[1894]七修. 9册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 太原市寻源姓氏文化研究中心. 远祖 : 巫暹. 由山西平阳夏县徙闽. 始祖 : (唐) 巫罗俊,字定生,号青州. 宗祖(3世) : (唐) 巫万宗,字真祥,改字符本. 明甫公之子. 万宗公下有仁, 义, 礼, 智, 信五子. 此谱为信公第五子,吉公,之后世系资料. 派祖(14世) : 巫清周,字绍夷. 源公长子. 房祖(32世) : 巫双郎 ; 巫全郎. 皆为钦相公之子. 双郎房下支祖(35世) : 巫盛仁 ; 巫盛益. 全郎房下支祖(34世) : 巫子监,字固卿 ; 巫子彦,字俊臣. 字派(42世起) : 可成邦家英瑞 国朝立锡升扬 常继先人后泽 世祚永传益昌. 散居地 : 福建省宁化县, 清流县等地. 书名据版心题编目. 书名页题 : 平阳巫氏房谱.
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汪氏宗谱 [不分卷]
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 1992年(上饶 : 叶修路梓). 11册 : 插图, 世系表, 人像. 收藏所 : 太原市寻源姓氏文化研究中心. 注 : 此谱大部分版心不标卷数. 影像次序混乱. 不确定是否齐全. 受姓祖(1世) : (周) 姓姬名汪,鲁成公黑肱之子. 食采颖川,号汪侯. 宗祖(56世) : 汪道安,字邦宁. 师全长子. 婺源始祖. 始祖(85世) : (明清之际) 汪之濬,字若滨. 天铎公之子. 霞源派祖(86世) : (清) 汪元材,字简臣,号霞山. 之濬公次子. 居上饶64都. 元材公下房祖(88世) : (清) 汪福远,字天申,号竹堂 ; 汪寿远,号述堂 ; 汪禄远,字尔康 ; 汪双远,字绍远 ; 汪全远. 皆为炜公之子. 南屏黄市头祖(76世) : 汪伯京,名镐,行镒三七. 景文公次子. 毛家潭始祖(86世) : (清) 汪福洋. 仕俊公之子. 下有四子 : 汪文先 ; 汪文卿 ; 汪文生 ; 汪文进. 为四大房. 铅山派祖(86世) : 汪元校,字鲁玉. 之濬公第七子. 居铅邑13都西坑源. 元植房祖 : (清) 汪元植,字仲建. 之濬公第四子. 竹林支祖(86世) : (明清之际) 汪国琮,字需吾. 子贞公长子. 黄荆山祖(81世) : (明) 汪德成,字君美. 成化年间自婺北19都迁上饶水南街. 德成公下派祖(85世) : (清) 汪之灏,字愧程,行三. 下有三子 : 汪元枢(无嗣) ; 汪元机,字定国 ; 汪元彬. 派字(97世起) : 宏扬祖训 庄严慎谨 承先睦后 万古恒绵. 散居地 : 江西省上饶县, 铅山县等地. 书名据书签题, 及版心题编目.
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汪氏宗谱 [不分卷]
原书: [出版地不详 : 出版者不详], 1992年(上饶 : 叶修路梓). 11册 : 插图, 世系表, 人像. 收藏所 : 太原市寻源姓氏文化研究中心. 注 : 此谱大部分版心不标卷数. 影像次序混乱. 不确定是否齐全. 受姓祖(1世) : (周) 姓姬名汪,鲁成公黑肱之子. 食采颖川,号汪侯. 宗祖(56世) : 汪道安,字邦宁. 师全长子. 婺源始祖. 始祖(85世) : (明清之际) 汪之濬,字若滨. 天铎公之子. 霞源派祖(86世) : (清) 汪元材,字简臣,号霞山. 之濬公次子. 居上饶64都. 元材公下房祖(88世) : (清) 汪福远,字天申,号竹堂 ; 汪寿远,号述堂 ; 汪禄远,字尔康 ; 汪双远,字绍远 ; 汪全远. 皆为炜公之子. 南屏黄市头祖(76世) : 汪伯京,名镐,行镒三七. 景文公次子. 毛家潭始祖(86世) : (清) 汪福洋. 仕俊公之子. 下有四子 : 汪文先 ; 汪文卿 ; 汪文生 ; 汪文进. 为四大房. 铅山派祖(86世) : 汪元校,字鲁玉. 之濬公第七子. 居铅邑13都西坑源. 元植房祖 : (清) 汪元植,字仲建. 之濬公第四子. 竹林支祖(86世) : (明清之际) 汪国琮,字需吾. 子贞公长子. 黄荆山祖(81世) : (明) 汪德成,字君美. 成化年间自婺北19都迁上饶水南街. 德成公下派祖(85世) : (清) 汪之灏,字愧程,行三. 下有三子 : 汪元枢(无嗣) ; 汪元机,字定国 ; 汪元彬. 派字(97世起) : 宏扬祖训 庄严慎谨 承先睦后 万古恒绵. 散居地 : 江西省上饶县, 铅山县等地. 书名据书签题, 及版心题编目.
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虎岫李氏家谱
族谱名:虎岫李氏家谱 编纂者:不知 地区:台湾彰化县彰化市西兴里 始祖:渡台始祖李序山,李洪双夫妇 原籍:福建泉州安溪县修仁乡 世代:总9世 年份:清光绪朝末
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