生平

1960年9月11日，天野浩出生于日本静冈县滨松市一个企业技术员之家。高中第一名毕业后考入名古屋大学工学部电子工学科。1982年作为一个大学生加入了赤崎勇教授的研究小组，自此一直从事III族氮化物半导体的生长、表征和器件的应用研究。1983年大学毕业后，在赤崎的推荐下留校深造。1985年取得工学硕士学位，1988年担任大学助手。

1989年，天野在名古屋大学的赤崎研究室，成功生成p型GaN（氮化镓）磊晶体，首次观测到p型材料的剧烈发光。世界最初的pn结GaN紫外光／蓝色发光二极管便出现在天野的手上 ，他也在同年取得工学博士学位。

1992年，天野跟随赤崎研究室移动至名城大学，2010年回到名大担任工学研究科教授。出于对研究的热情，天野研究室不论平日、假日或正月（新年过年）都在工作，半夜灯火通明的模样，被称为“不夜城” 。天野的妻子通晓英语、俄语、法语，现任俄罗斯新西伯利亚国立教育大学（Новосибирский государственный педагогический университет）的讲师。长女是京都大学研究生，长男就读于东京大学。

2014年诺贝尔奖

2014年诺贝尔物理学奖宣布时，天野正在法国出差途中。当晚名大的记者会由益川敏英（2008年诺贝尔物理学奖得主）透过现场连线表示嘉许。天野于2015年3月16日获聘 名大“特别教授”，待遇等同赤崎勇。

根据诺贝尔奖委员会，有关3人贡献的主要区别是：

赤崎：以AIN缓冲制成高品质GaN

天野：实现pn结GaN

中村：对实用级高效能蓝色LED的一系列成就、贡献（基于InGaN，但官方文件未载）

荣誉

  2014年10月，日本首相安倍晋三在首相官邸接见天野浩

1991年 电气学会论文发表奖

1994年 OPTO Electronic 会议特别奖

1996年 美国 IEEE / LEOS 工程成就奖

1998年 应用物理学会奖Ｃ（会志奖）

1998年 British Rank Prize

2001年 丸文学术奖

2002年 武田奖

2003年 SSDM Award

2008年 日本结晶成长学会论文奖

2014年诺贝尔物理学奖

2014年文化勋章·文化功劳者

2014年滨松市荣誉市民

社会活动

2015年3月1日，诺贝尔奖得主座谈（Nobel Week Dialogue）首次移师海外，在日本东京举行。在7名与会的诺贝尔奖得主当中包括2名日本人－－天野教授与京都大学的山中伸弥教授（2012年医学奖） 。此外，岛津制作所的田中耕一（2002年化学奖）出席了最后一轮座谈 。

参见

日本人诺贝尔奖得主

赤崎勇

中村修二

免责声明：以上内容版权归原作者所有，如有侵犯您的原创版权请告知，我们将尽快删除相关内容。感谢每一位辛勤著写的作者，感谢每一位的分享。