历史场效应晶体管于1925年由JuliusEdgarLilienfeld和于1934年由OskarHeil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管）。1960年DawanKahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管，从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。原理电极一个n型MOSFET的横截面所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应双极性晶体管的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除了结型场效应管外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个集成电路的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（lengt...

原理和特点IPS型与TN型都​​是使用TN液晶，两者不同的特征是施加于液晶分子的电场不同：跟TN液晶及VA液晶上下平行配置两块导电板的方式不同，IPS液晶的电极和液晶处于一个平面（即电场平行于液晶平面）。开路状态光线无法通过，回路接通液晶分子扭转光线发生双折射透过液晶平面。由于电极和液晶处于同一平面所以没有方向性，能得到上下左右178度的视角。但IPS液晶的对比度不如VA液晶，所以颜色不如VA液晶艳丽。同时色温偏低，有偏黄倾向，例如iPhone就有IPS天生特有的黄屏问题、采用相似技术的移动电话屏幕也是如此，需要专用补正电路。在三种液晶技术中，IPS液晶也是时滞响应最慢的，在显示快速变化的图像时会产生拖影，因此相对于显示变化快的电视节目，较适合运用于显示变化慢且对色彩还原要求高的电脑图像。此外IPS液晶表面较硬，不会因受到压力引起色差变化，所以成为高级触控屏幕的首选，而如前所述的苹果公司的...

电路符号常用于金氧半场效晶体管的电路符号有多种形式，最常见的设计是以一条垂直线代表沟道（Channel），两条和沟道平行的接线代表源极（Source）与漏极（Drain），左方和沟道垂直的接线代表栅极（Gate），如下图所示。有时也会将代表沟道的直线以虚线代替，以区分增强型（enhancementmode，又称增强式）金氧半场效晶体管或是耗尽型（depletionmode，又称耗尽式）金氧半场效晶体管。由于集成电路芯片上的金氧半场效晶体管为四端组件，所以除了源极（S）、漏极（D）、栅极（G）外，尚有一基极（Bulk或是Body）。金氧半场效晶体管电路符号中，从沟道往右延伸的箭号方向则可表示此组件为n型或是p型的金氧半场效晶体管。箭头方向永远从P端指向N端，所以箭头从沟道指向基极端的为p型的金氧半场效晶体管，或简称PMOS（代表此组件的沟道为p型）；反之则代表基极为p型，而沟道为n型，此组件...