舛冈富士雄
生平日本东北大学工学部毕业，工学博士（东北大学）。毕业后，1971年加入东芝公司。在此，也开发SAMOS内存。舛冈富士雄博士对于非挥发性内存的想法感到非常的兴奋，是一种在电源关闭后，还能保存资料的内存。目前担任日本东北大学名誉教授。继续研究三维构造半导体SurroundingGateTransistor(SGT)技术。经历1943年，出生于日本群马县高崎市。群马県立高崎高等学校毕业。1971年，在东北大学西泽润一研究室専攻读博士并取得博士学位。同年，进入东芝。1980年，发明NOR型快闪存储器。1986年，发明NAND型快闪存储器。1994年，东北大学大学院情报科学研究科教授。1996年，东北大学电気通信研究所教授。1997年，获得电机电子工程师学会所颁发的MorrisN.Liebmann纪念奖。2004年，担任Unisantis电子首席技术官。2007年，获得日本政府所颁发的紫绶褒章。2...
生平
日本东北大学工学部毕业，工学博士（东北大学）。毕业后，1971年加入东芝公司。在此，也开发SAMOS内存。舛冈富士雄博士对于非挥发性内存的想法感到非常的兴奋，是一种在电源关闭后，还能保存资料的内存。
目前担任日本东北大学名誉教授。 继续研究三维构造半导体Surrounding Gate Transistor(SGT)技术。
经历
1943年，出生于日本群马县高崎市。群马県立高崎高等学校毕业。
1971年，在东北大学西泽润一研究室専攻读博士并取得博士学位。同年，进入东芝。
1980年，发明NOR型快闪存储器。
1986年，发明NAND型快闪存储器。
1994年，东北大学大学院情报科学研究科教授。
1996年，东北大学电気通信研究所教授。
1997年，获得电机电子工程师学会所颁发的Morris N. Liebmann纪念奖。
2004年，担任Unisantis电子首席技术官。
2007年，获得日本政府所颁发的紫绶褒章。
2013年，获日本文化功劳者荣誉。
相关条目
西泽润一
快闪存储器
环绕式闸极半导体（日语：Surrounding Gate Transistor）
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