发展

1833年，英国的法拉第（Michael Faraday）发现的其中一种半导体材料：硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低。

1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun），注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

1947年12月23日，巴丁与布拉坦（Walter Brattain）进一步使用点接触晶体管制作出一个语音放大器，晶体管正式发明。

1958年9月12日，德州的基尔比（Jack Kilby），细心地切了一块锗作为电阻，再用一块pn接面做为电容，制造出一个震荡器的电路。

1970年，超晶格概念的提出和超晶格量子阱的研制成功。

分类

以原料分为：

元素半导体材料：以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、金刚石、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。

复合半导体材料：由两种或两种以上无机物化合成的半导体，种类繁多，已知的二元化合物就有数百种。

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