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热敏电阻

2020-10-16
出处:族谱网
作者:阿族小谱
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基本特性热敏电阻最基本的特性是其阻值随温度的变化有极为显著的变化,以及伏安曲线呈非线性。若电子和空穴的浓度分别为n{displaystylen}、p{displaystylep},迁移率分别为μμ

基本特性

热敏电阻最基本的特性是其阻值随温度的变化有极为显著的变化,以及伏安曲线呈非线性。若电子和空穴的浓度分别为 n {\displaystyle n} 、 p {\displaystyle p} ,迁移率分别为 μ μ --> n {\displaystyle \mu _{n}} 、 μ μ --> p {\displaystyle \mu _{p}} ,则半导体的电导为:

σ σ --> = q ( n μ μ --> n + p μ μ --> p ) {\displaystyle \sigma =q(n\mu _{n}+p\mu _{p})\,}

因为 n {\displaystyle n} 、 p {\displaystyle p} 、 μ μ --> n {\displaystyle \mu _{n}} 、 μ μ --> p {\displaystyle \mu _{p}} 都是依赖温度T的函数,所以电导是温度的函数,因此可由测量电导而推算出温度的高低,并能做出电阻-温度特性曲线。这就是半导体热敏电阻的工作原理。

假设,电阻和温度之间的关系是线性的,则: : Δ Δ --> R = k Δ Δ --> T {\displaystyle \Delta R=k\Delta T\,}

热敏电阻可以依 k {\displaystyle k} 值大致分为两类:

k {\displaystyle k} 为正值,电阻随温度上升而增加,称为正温度系数(PTC,Positive Temperature Coefficient)热敏电阻。

k {\displaystyle k} 为负值,电阻随温度上升而减少,称为负温度系数(NTC,Negative Temperature Coefficient)热敏电阻。

此外还有一种临界温度热敏电阻(CTR,Critical Temperature Resistance),在一定温度范围内,其电阻会有大幅的变化。

非热敏电阻的一般电阻,其 k {\displaystyle k} 一般都相当接近零,因此在一定的温度范围内其电阻值可以接近一定值。

有时热敏电阻不用温度系数k来描述,而是用电阻温度系数 α α --> T {\displaystyle \alpha _{T}} 来描述,其定义为

此处的 α α --> T {\displaystyle \alpha _{T}} 系数和以下的 a {\displaystyle a} 参数是不同的。

斯坦哈特-哈特公式

在实务上,上述的线性近似只在很小温度范围下适用,若要考虑精密的温度量测,需要更详细的描述温度-电阻曲线。斯坦哈特-哈特公式(英语:Steinhart–Hart equation)是广为使用的三阶近似式:

其中a、b和c称为斯坦哈特-哈特参数,每个热敏电阻有不同的参数,T是以开尔文表示的温度,R是电阻,单位是欧姆,若要电阻以温度的函数表示,可以整理为下式:

其中

在二百度的范围内,斯坦哈特-哈特公式的误差多半小于0.02 °C。例如,室温下(25 °C = 298.15 K)电阻值为3000 Ω的热敏电阻,其参数为

NTC热敏电阻的参数

NTC热敏电阻的电阻值随温度的上升而下降,也可以用B(或β)参数来描述其特性,其实就是参数为 a = ( 1 / T 0 ) − − --> ( 1 / B ) ln ⁡ ⁡ --> ( R 0 ) {\displaystyle a=(1/T_{0})-(1/B)\ln(R_{0})} , b = 1 / B {\displaystyle b=1/B} 及 c = 0 {\displaystyle c=0} 的斯坦哈特-哈特公式(英语:Steinhart–Hart equation)。

其中

T:温度,单位为K

R0:为温度T0 (25 °C = 298.15 K)时的电阻

求解R可得

或者

其中 r ∞ ∞ --> = R 0 e − − --> B / T 0 {\displaystyle r_{\infty }=R_{0}e^{-{B/T_{0}}}} .

因此可以求解温度为

B参数的方程也可以表示为 ln ⁡ ⁡ --> R = B / T + ln ⁡ ⁡ --> r ∞ ∞ --> {\displaystyle \ln R=B/T+\ln r_{\infty }} ,可以得热敏电阻温度及电阻的方程式转换为 ln ⁡ ⁡ --> R {\displaystyle \ln R} 和 1 / T {\displaystyle 1/T} 的线性方程式。由其平均斜率可以得到B参数的估计值。

历史

第一个NTC热敏电阻是法拉第在1833年研究硫化银的半导体特性时发现的。法拉第注意到硫化银的阻值随着温度上升而大幅下降(这也是第一次对于半导体材料特性的记录) 。

早期因为热敏电阻不易生产,且应用的技术受限,商业化的使用一直到1930年代才开始。第一个在商业应用上可行的热敏电阻是由Samuel Ruben在1930年发明。

应用领域

温度侦测

电路开关

涌流抑制

马达延时启动

过热保护

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