结构

肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N结不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度。

反向恢复时间

肖特基二极管和一般二极管最大的差异在于反向恢复时间，也就是二极管由流过正向电流的导通状态，切换到不导通状态所需的时间。

一般二极管的反向恢复时间大约是数百 nS，若是高速二极管则会低于一百 nS，肖特基二极管没有反向恢复时间，因此小信号的肖特基二极管切换时间约为数十 pS，特殊的大容量肖特基二极管切换时间也才数十 pS。由于一般二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基二极管可以立即切换，没有反向恢复时间及反相电流的问题。

肖特基二极管是一种使用多数载流子的半导体元件，若肖特基二极管是使用N型半导体，其二极管的特性是由多数载流子（即电子）所产生。多数载流子快速地由半导体穿过接面，注入另一侧金属的传导带，由于此过程不涉及N 型、P 型载流子的结合（随机反应而且需要时间较长），因此肖特基二极管停止导通的速度会比传统的二极管速度要快。这样的特性使得元件需要的面积可以减少，又进一步的减少切换所需的时间。在切换式电源供应器中常会用到肖特基二极管，因为肖特基二极体允许高速切换，电路可以在200kHz到2MHz的频率下操作，也就可以使用较小的电感器及电容器，同时可以提升电源供应器的效率。小体积的肖特基二极管最高可工作在50GHz的频率，因此是 RF （无线电频率）侦测器及 mixer（混频器） 中的重要零件。

缺点

肖特基二极管最大的缺点是其反向偏置较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极管，其反向偏置额定耐压最高只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热击穿的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极管实际使用时的反向偏置都会比其额定值小很多。不过目前肖特基二极管的技术也已有了进步，其反向偏置的额定值最大可以到200V。

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