肖特基势垒
优点正向偏置:受热激发的电子能够漫延到金属层。反向偏置:电子欲从半导体进入受到阻碍。由于肖特基势垒具有较低的界面电压,可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中,它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用,其主要的功能是利用其较低的接面电压来保护电路上的其它器件。然而,自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。器件肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二极管。肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管FET:金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒,所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。参见欧姆接触
优点
正向偏置: 受热激发的电子能够漫延到金属层。 反向偏置: 电子欲从半导体进入受到阻碍。
由于肖特基势垒具有较低的界面电压,可被应用在某器件需要近似于一个理想二极管的地方。在电路设计中,它们也同时与一般的二极管及晶体管一起使用, 其主要的功能是利用其较低的接面电压来保护电路上的其它器件。
然而,自始至终肖特基器件相较于其它半导体器件来说能被应用的领域并不广。
器件
肖特基势垒自身作为器件即为肖特基二极管。
肖特基势垒碳纳米管场效应晶体管FET:金属和碳纳米管之间的接触并不理想所以层错导致肖特基势垒,所以我们可以使用这一势垒来制作肖特基二极管或者晶体管等等。
参见
欧姆接触
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学历1904年由德国柏林的SteglitzGymnasium毕业。1908年于柏林大学获得物理学士,1912年于柏林大学在普朗克与HeinrichRubens指导下获得物理博士,论文名称是:ZurrelativtheoretischenEnergetikundDynamik。经历1912-14年间在耶拿大学作博士后研究,1919-23年间在维尔茨堡大学讲学,1923-27年间担任罗斯托克大学理论物理教授。1914-19,1927-58年间两度在西门子研究实验室(SiemensResearchlaboratories)工作。主要科学成就回顾起来,肖特基最重要的科学成就可说是1914年发现的知名古典公式,一个点电荷q,与距离x的金属平面间的相互作用能,现今写成-q/16πε0x获奖因发现热电子发射的散粒效应(肖特基称它是Schroteffect),也就是在高真空放电管中的自发性的电流变化,以及...
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