上封武一世祖 : (明) 郑耀堂,字信湖,号十九. 碧湖公次子.
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郑耀倪
郑耀倪,浙江衢州市衢江区湖南镇西庄村人，出生于1956年7月14日，家中排行老五。由于兄
堂号郡望－郑氏堂号
堂号郡望－郑氏堂号,郑氏总堂号――荥阳堂 郑氏各地分支堂号： 山东：高密郑氏著经堂、通德堂、书带
陕西-铜川-耀州郑世振
郑世振，字挺生，清耀州城内人，乾隆三十一年(1766)武举。初授福建陆路提标后营守备，调台湾镇标右营守备。时台湾北路发生数百名乡民反清事件，水师提督黄仕简率军镇压，留世振负责府城治安。几天后，传来彰化、诸罗两县数万群众被杀消息。把总-将抓获的56余名逃亡群众，交世振审问处理。世振发现这些逃民都是彰化、诸罗两县良民，就全部释放，令其回家。事后，清政府追查这次事件的责任，台湾文武官员都受到处分，唯世振得免。
广东省-中山市郑耀宗
郑耀宗，微电子学专家。1939年2月9日生于香港，籍贯广东中山。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。曾任香港大学校长。1999年当选为中国科学院院士。长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。
郑堂
参考文献《闽都别记》、《全闽诗话》、《福建通志》
