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晶体管计算机

晶体管计算机,是大型计算机发展的一个阶段,主要是由电子管计算机发展而来的。由于电子管是非固态的(真空的),它通常都比较庞大;并且电子管的单体使用寿命短,所以经常会有电子管烧毁页停机,晶体管则没有这些毛病。

晶体管计算机简介资料
1953年11月
相关人物
晶体管计算机相关文献
晶体管
历史第一个晶体管的复制品.1925年,加拿大物理学家尤利乌斯·爱德利林费尔德(英语:JuliusEdgarLilienfeld)申请场效应晶体管(FET)的专利1926年,尤利乌斯·爱德利林费尔德(英语:JuliusEdgarLilienfeld)也在美国申请专利,但是他没有发布过相关的文章,而且当时还没有制作高品质半导体的相关技术。1934年,德国发明家奥斯卡海尔(英语:OskarHeil)申请类似装置的专利。1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。运用及分类NPN型晶体管示意图晶体管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)晶体管一般都有三个极,其中一极兼任输入及输出端子,(B)基极不能做输出,(C)集电极不能做输入之外,其余两个极组成输入及输出对。晶体管之所以如此多用途在于其信号放大能力,当微细信号加于其
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计算机
历史本来,计算机的英文原词“computer”是指从事数据计算的人。而他们往往都需要借助某些机械计算设备或模拟计算机。这些早期计算设备的祖先包括有算盘,以及可以追溯到公元前87年的被古希腊人用于计算行星移动的安提基特拉机械。随着中世纪末期欧洲数学与工程学的再次繁荣,1623年德国博学家WilhelmSchickard(德语:WilhelmSchickard)率先研制出了欧洲第一部计算设备,这是一个能进行六位以内数加减法,并能通过铃声输出答案的“计算钟”。使用转动齿轮来进行操作。1642年法国数学家布莱士·帕斯卡在英国数学家WilliamOughtred所制作的“计算尺”的基础上,将其加以改进,使能进行八位计算。还卖出了许多制品,成为当时一种时髦的商品。1801年,法国人约瑟夫·玛丽·雅卡尔对织布机的设计进行改进,使用一系列打孔的纸卡片来作为编织复杂图案的程序。尽管这种被称作“雅卡尔织布机”...
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绝缘栅双极晶体管
构造这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力,在单一的IGBT器件里,会透过把一个隔离的场效应晶体管(FET)结合,作为其控制输入,并以双极性晶体管作开关。用途和特征绝缘栅双极晶体管其基本包装为三个端点的功率级半导体元件,其特点为高效率及切换速度快,为改善功率级BJT运作的工作状况而诞生。IGBT结合了场效晶体管栅极易驱动的特性与双极性晶体管耐高电流与低导通电压压降特性,IGBT通常用于中高容量功率场合,如切换式电源供应器、马达控制与电磁炉。大型的IGBT模组应用于数百安培与六千伏特的电力系统领域,其模组内部包含数个单一IGBT元件与保护电路。IGBT为近数十年发明产物,第一代IGBT产品于1980年代与1990年初期,但其切换速度不快且开关截止时易产生拴锁现象与二次崩溃现象,第二代IGBT产品便有很大的进展,第三代I...
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双极性晶体管
发展及应用1947年12月,贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布喇顿在威廉·肖克利的指导下共同发明了点接触形式的双极性晶体管。1948年,肖克利发明了采用结型构造的双极性晶体管。在其后的大约三十年时间内这种器件是制造分立元件电路和集成电路的不二选择。早期的晶体管是由锗制造的。在1950年代和1960年代,锗晶体管的使用多于硅晶体管。硅晶体管截止电压通常为0.5至1V,锗晶体管的截止电压更小,通常约0.2V,这使得锗晶体管适用于某些应用场合例如高灵敏度的设备。在晶体管的早期历史中,曾有多种双极性晶体管的制造方法被开发出来。锗晶体管的一个主要缺点是它容易产生热失控。由于锗的禁带宽度较窄,如果要稳定工作,则对其工作温度的要求相对硅半导体更严,因此大多数现代的双极性晶体管是由硅制造的。采用硅的另外一个原因是容易形成稳定的二氧化硅,二氧化硅与其他金属之间的粘性也大,容易制作电子器件。后来,人们也开始使...
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生命晶体管
从细菌到人类的细胞当中,都包含了某些蛋白质,从事类似于晶体管(Transistor)的工作。在一般晶体管中,电子在半导体当中的流动是受到电位差所控制;而在细胞当中,某些跨越细胞膜表面的蛋白质也是以电位差控制钠、钾、钙等离子进出细胞。这些由蛋白质所构成的离子信道,其功能单位一般由四个蛋白质次单元所组成,每一个蛋白质次单元又由六次往复缠绕的多月生月太(Polypeptide)所构成。这种六次往复缠绕的穿越细胞膜结构常见于钠、钾、钙等离子通道,其中尚包括螺旋状(α-helix)的结构,它们对于不同电荷离子的灵敏度相当高。关于离子信道结构的研究已有多年,由于离子通道不容易形成结晶,所以其结构的决定也就益发困难。有研究者尝试利用抗体为骨架去帮助蛋白质结晶,其所选用的蛋白质分离自一种古细菌Aeropyrumpernix,蛋白质名为KvAP,其作用是管控钾离子进出细胞。KvAP有类似于船桨(Paddle...
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Transistor
晶体管
家族谱大览
5.管氏宗谱, 5, 卷5, 四房 宁公 6世廷韶公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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3.管氏宗谱, 3, 卷2, 大房 隆公 6世玉宝公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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1363.管氏宗谱 [6卷,及卷首], v. 7
原书: [出版地不详] : 厚德堂藏板, 民国17[1928]刊. 7册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 中国湖北省图书馆. 注 : 此谱缺卷6, 且卷5部分破损. 受姓祖 : 叔鲜. 武王弟,封于管,后因以为姓. 远祖 : (唐) 管千泗,字小鲁. 迁西陵. 派祖(4世) : 管楚志. 房祖(6世) : 管之韶,字武美,号舜甫 ; 管之福,字庆甫 ; 管之芳 ; 管之英. 皆楚志公之孙. 派行 : 千学福楚志 之石亭一元 大则少长永 应公继宇华 时序及家文 正定子必友 其士承启集 义为善自兴. 增派 : 祖泽宗风远 芝兰毓秀芳 创修新世德 玉牒久辉煌. 散居地 : 湖北省麻城县等地. 书名据书衣题, 书名页题, 及版心题编目.
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1361.管氏宗谱 [6卷,及卷首], v. 5
原书: [出版地不详] : 厚德堂藏板, 民国17[1928]刊. 7册 : 插图, 世系表. 收藏所 : 中国湖北省图书馆. 注 : 此谱缺卷6, 且卷5部分破损. 受姓祖 : 叔鲜. 武王弟,封于管,后因以为姓. 远祖 : (唐) 管千泗,字小鲁. 迁西陵. 派祖(4世) : 管楚志. 房祖(6世) : 管之韶,字武美,号舜甫 ; 管之福,字庆甫 ; 管之芳 ; 管之英. 皆楚志公之孙. 派行 : 千学福楚志 之石亭一元 大则少长永 应公继宇华 时序及家文 正定子必友 其士承启集 义为善自兴. 增派 : 祖泽宗风远 芝兰毓秀芳 创修新世德 玉牒久辉煌. 散居地 : 湖北省麻城县等地. 书名据书衣题, 书名页题, 及版心题编目.
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11.管氏宗谱, 11, 卷10下, 大房 清公 16世世乐公起, 1914
原书: [出版地不详] : 九一堂, 民国3[1914]. 14册: 插图, 世系表. 鼻祖(1世): (明)管谷英,号益英,行一籍. 同二兄管谷雄 ; 管谷豪自豫章南昌府南昌县迁居冈邑属九冲堰后易名管家寨. 谷英公下三子(2世): (明)管仲良 ; 管仲旻(三房) ; 管仲仁(四房). 仲良公下二子(3世): 管仕全(大房) ; 管仕谦(二房). 大房仕全公派下支祖(5世): (明)管隆 ; 管韶 ; 管辅. 二房仕谦公派下支祖(5世): (明)管沧 ; 管潜 ; 管珊 ; 管琛. 三房仲敏公派下支祖(5世): (明)管洛 ; 管渊. 四房仲仁公派下支祖(5世): (明)管宁 ; 管銮 ; 管檄 ; 管亮 ; 管琳...等 创修新派二十字(21世起): 作述荣先绪 昌开继克家 芳声传代美 彛训定宗华. 注: 创修管洪德,字心齐 ; 管洪章,字毓华. 注 : 此谱不全. 缺卷3(二房珊公与二房琛公). 注: 此谱部分页数破损, 模糊不清, 无法阅读. 注: 此谱书衣的卷数与版心不同,以版心为主. 散居地: 湖北省黄冈县等地. 书名据书衣题及版心题编目.
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20.管氏族谱, 20, 1127-2017
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